型号:

RMW130N03TB

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Rohm Semiconductor描述:MOSF N CH 30V 13A PSOP8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
RMW130N03TB PDF
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 12.6 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 650pF @ 15V
功率 - 最大 3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装 8-PSOP
包装 标准包装
其它名称 RMW130N03TBDKR
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